脱水简报- 4DS Memory不敌Weebit Nano分析

2020-11-05 14:21:36 (AET) by Winson Su   679


全球电阻式内存(ReRAM)市场规模,预计将从2018年的3.106亿美元增至2025年的6.55亿美元,预计在此期间年复合增长为16%。ReRAM等新兴的非易失性存储器技术因其较低的读延迟和较快的写性能而受到广泛关注。

市场概况

ReRAM市场

全球电阻式内存(ReRAM)市场规模,预计将从2018年的3.106亿美元增至2025年的6.55亿美元,预计在此期间年复合增长为16%。ReRAM等新兴的非易失性存储器技术因其较低的读延迟和较快的写性能而受到广泛关注。随着人工智能、高性能计算(HPC)和物联网设备的出现,生成的大量数据是密集而复杂。为了有效地处理这些数据,需要创新的存储技术。半导体公司正在采用ReRAM来处理人工智能和高性能计算的要求,因为它可以在提高性能的同时显著降低现代系统的能源消耗。因此,人工智能、物联网和大数据等技术对高带宽、低功耗和高可伸缩内存设备的需求推动了ReRAM市场的增长。
此外,由于ReRAM比NAND闪存能耗更低,最适合用于工业和汽车应用的传感器设备的内存。其较高的内存密度、更快的读写速度和更低的功耗需求,ReRAM经常被引用为固态驱动器(SSD)和非易失性双联机内存模块(NVDIMMs)等应用程序中的逻辑替代品。此外,连接设备中新兴的非易失性存储器的不断增长的需求,将在预测期间推动该市场的增长。然而,由于这些记忆依赖于复杂的转换机制和外来材料,它需要更长的时间来发展。此外,DRAM和NAND等替代产品的出现,使得重新运行的服务器很难在市场上站稳脚跟。

ReRAM 是一种非易失性RAM,它通过改变称为忆阻器的固体介电材料的电阻来发挥作用。忆阻器是一种电气设备,其电阻取决于通过该设备的电荷通量,而ReRAM是表现出忆阻性能的设备,是一种特殊的忆阻器。可扩展性,高容量,在低电压下运行,高性能和可靠的存储器是ReRAM的一些独特特性,使具有DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身,而且与PCM(相变存储器,英特尔与美光联合研发的3D Xpoint新一代存储芯片)相比,它需要较低的编程电流,并且在保持和耐久性方面具有可比的性能。

在传统使用DRAM(动态随机存取存储器)运行程序的计算机临时存储系统所需的数据。一旦电源断开,DRAM的内容立即丢失,但是使用ReRAM,可以恢复而不会丢失任何数据。典型的ReRAM单元具有不同电阻特性的交换材料。该交换材料被两个金属电极夹在中间。交换效应是基于离子在电场影响下的运动以及交换材料存储离子分布的能力,该离子分布会引起器件电阻的显着变化。ReRAM在高存储密度、低功耗、更高的读写速度和比闪存便宜的成本方面有很大的潜力,与DRAM相比ReRAM密度要高40倍,读取速度快100倍,写入速度快1000倍。由于其巨大的潜力,ReRAM即可能成为数字主流的一部分。

目前,市场上主要的参与者包括:PSCS, Adesto, Crossbar, Fujitsu, Intel, Samsung Electronics, TSMC, Micron, SK Hynix, SMIC, 4DS Memory (ASX: 4DS), Weebit Nano (ASX: WBT)等。按产品类型,现主要分为:180,40和28纳米架构等。

按市场地域划分,预计截至2025年,亚太地区将在ReRAM市场中占据最大的市场份额。在亚太地区,中国(包括台湾)是电子产品的领先生产商,也是市场参与者的主要投资地之一。此外,在ReRAM生产中占有很大份额。由于市场参与者的高度集中,熟练技术专家更易获得以及ReRAM在主要应用领域的日益普及,而北美在ReRAM市场中也占有重要份额。

全球存储芯片市场

2019年,全球存储芯片市场总值1090.2亿美元,预计将以年复合增长22%,到2023年市场规模将达到2410.5亿美元。随着,移动设备,平板电脑和其他电子产品的普及率上升以及数据使用量的上升将驱动存储芯片市场发展。电子设备(例如智能手机和平板电脑)的销售增长导致数字内容的产生和消费增加,并且需要存储芯片来存储数据。例如:在2020年,全球智能电话设备的总数预计将达到60亿,即到2020年,80%的人将拥有智能手机,最终将推动存储芯片制造公司的收入增长。越来越多的人对智能手机的依赖有望增加存储数据的必要性,从而推动存储芯片市场的发展。
内存芯片技术革新缓慢制约了内存芯片市场的增长。存储芯片损坏会导致存储卡中存储的所有数据丢失。如突然的电涌,格式化,病毒攻击以及从任何设备突然移除存储卡都是造成存储卡损坏的一些常见因素。此外,诸如在存储卡已满时快速拍摄和删除文件以及在相机电池电量不足时捕获照片之类的原因可能会导致存储卡损坏,最终导致芯片中存储的数据丢失。因此,由于存储芯片损坏而丢失数据的风险会阻碍市场的增长。
存储芯片市场中的公司正在开发具有重大技术变革的芯片,从而推动了对存储器芯片需求的增长。研究人员正在创建可以存储和处理数据的内存芯片,从而减少了传输数据所需的时间和精力,并提高了处理器的速度。

公司简介

4DS Memory Limited(ASX: 4DS)前身为Fitzroy Resources Ltd是一家总部位于澳大利亚的公司,主要从事电阻式存储器(ReRAM)(非易失性存储器)的开发。该公司正与西部数据(Western Digital)旗下子公司HGST合作开发一种非丝线ReRAM,适用于较小几何尺寸的千兆字节(GB)硅存储。 ReRAM可用于移动和云中的下一代存储。该公司拥有开发用于创建高密度千兆字节存储的互联网协议产品组合,其接口交换ReRAM适用于需要高密度存储器和千兆字节硅存储的市场。该公司拥有非易失性存储解决方案,与传统存储技术相比,它可以使更高密度的存储器运行更长的时间。该公司的研发机构位于美国硅谷。

文中详细分析了4DS Memory (ASX: 4DS)行业概况,经营情况,并于WBT进行对比等分析。

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